如果还生产这些性能的锗碳芯片，那么之前这些28纳米、32纳米等等的硅芯片产业链，就等于刚投资就报废了。

这样会产生巨大的浪费。 零零轻小说

不管从资金上考虑，还是从生产资源上考虑，都会损失很大。

最关键的就是，由此会带来不小的经济、社会动荡，实为不智。

因而生产250纳米工艺制程的锗碳芯片，用来取代大夏尚且无法自产的14纳米工艺制程硅芯片，才是最合理的解决方案。

至于180纳米锗碳芯片，现在研制出来了，但估计也要等250纳米锗碳芯片顺利投产之后，才会开始其生产链的建设。

毕竟180纳米锗碳芯片近乎于7纳米硅芯片的性能，还是稳妥一些，有了锗碳芯片生产链建设的经验之后再来比较好。

毕竟这锗碳芯片的生产和硅芯片完全就是两个概念。

在离开实验室之前，赵小侯虽说由于时间紧张，没有和大家一起出去吃饭庆祝，但还是鼓励了一下米来娣等人，让他们朝着130纳米工艺进发！

这130纳米工艺的锗碳芯片，其晶体管密度是180纳米的3倍，每平方毫米足足有60万个晶体管。

其性能等同于5纳米的硅芯片。

有一说一，如果米来娣等人将130纳米工艺的锗碳芯片搞出来，那么在芯片这一块，大夏国就等于拥有了最尖端的芯片自产能力。

虽然说现在一些顶尖的芯片生产厂家叫嚷着要把3纳米工艺研究出来。

但实际上，3纳米的硅芯片在短时间内是很难突破的。

这里既有量子隧道效率不断增大带来的电子穿越问题，更有晶体管越小，越难实现量产的问题。

毕竟硅原子也是有体积大小的。

一个硅原子的直径就有0.25纳米！

而工厂化生产的芯片里，一个微型晶体管至少需要50个硅原子构成。

当然，有尖端实验室里也研制出过7个硅原子构成的晶体管。

但这个没办法工厂生产的。

简单来说，直径3纳米的晶体管，即便不去计算原子之间因为排斥力而形成的空间距离，一个晶体管的一面也就只能排列10个硅原子。